霍尔效应的测量是开展半导体研究的重要方法。本机利用计算机的数据采集和处理在80K-380K温度范围内对霍尔系数和电导率的测量，进行半导体电机制及散射机制的研究，并可确定半导体的一些基本参数，如导电类型、载流子浓度、迁移率、禁带宽度以及杂质电离能等。
这款升降炉以硅碳棒为加热元件，采用双层壳体结构和日本岛电40段程序控温系统，移相触发、可控硅控制，炉膛采用1600型氧化铝多晶纤维材料。
这款气氛箱式炉以1800型硅钼棒为加热元件，采用双层壳体结构和日本岛电40段程序控温系统，移相触发、可控硅控制，炉膛采用1800型氧化铝多晶体纤维材料，双层炉壳间配有风冷系统。
这款气氛箱式炉以硅碳棒为加热元件，采用双层壳体结构和日本岛电40段程序控温系统，移相触发、可控硅控制，炉膛采用氧化铝多晶体纤维材料，双层炉壳间配有风冷系统。
这款气氛箱式炉以瑞典康泰尔电阻丝为加热元件，采用双层壳体结构和日本岛电40段程序控温系统，移相触发、可控硅控制，炉膛采用氧化铝多晶体纤维材料。
